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元器件采购网 > S-1371页 > FET - 单STI12N65M5

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STI12N65M5

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA STMicroelectronics 2148 闁活澀绲婚惁浠嬫晬閿燂拷0755-83217923
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STI12N65M5参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
包装数量:50
包装形式:管件
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):430 毫欧 @ 4.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):900pF @ 100V
功率 - 最大值:70W
安装类型:通孔

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